MML4402-GM2/TR
Microchip Technology
该型号为二极管。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology · 封装:GM3
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 GM3 封装。Microchip Technology · 封装:GM2
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Fast Surface Mount MRI Protection Diode、反向电压(Vr) 75 V、最大二极管电容 2 pF、正向电流(If) 100 mA、最小工作温度 - 55 C,采用 GM2 封装。Microchip Technology · 封装:GM2
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 GM2 封装。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology · 封装:GM2
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Fast Surface Mount MRI Protection Diode、反向电压(Vr) 75 V、最大二极管电容 1.5 pF、正向电流(If) 100 mA、最小工作温度 - 55 C,采用 GM2 封装。Microchip Technology · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 Control Devices Surface Mount PIN Diodes、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 350 fF,采用 0805 封装。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 High Voltage, High Power、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 500 fF,采用 0805 封装。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 High Voltage, High Power、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 500 fF,采用 0805 封装。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 High Voltage, High Power、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 600 fF,采用 0805 封装。Microchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。Microchip Technology · 封装:SOD-323-2
该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 MMSM Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 150 fF、最大最大正向电流下串联电阻 2 Ω、正向电流(If) 10 mA,采用 SOD-323-2 封装。Microchip Technology · 封装:SOD-323-2
该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 12 GHz、技术 Si、类型 MMSM Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 200 fF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流(If) 10 mA,采用 SOD-323-2 封装。Microchip Technology
该型号为二极管。Microchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。