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LXP1000-23-4

Microchip Technology · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 PIN Diode、反向电压(Vr) 5 V、最大二极管电容 280 fF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流(If) 1 A,采用 SOT-23-3 封装。

LXP1002-23-0

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si。

LXP1002-23-3/TR

Microchip Technology · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 PIN Diode、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 320 fF、最大最大正向电流下串联电阻 4 Ω、正向电流(If) 1 A,采用 SOT-23-3 封装。

LXP1002-23-4

Microchip Technology · 封装:SOT-23-3

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 5 GHz、技术 Si、类型 High Performance Attenuator Pin Diodes、反向电压(Vr) 50 V、最大最大正向电流下串联电阻 4 Ω、正向电流(If) 100 mA,采用 SOT-23-3 封装。

LXP1004-23-0

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。

LXP1004-23-2

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。

LXP1004-23-2/TR

Microchip Technology

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。

MML4401-GM2

Microchip Technology · 封装:GM2

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Fast Surface Mount MRI Protection Diode、反向电压(Vr) 75 V、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、正向电流(If) 100 mA,采用 GM2 封装。

MML4401-GM3

Microchip Technology · 封装:GM3

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 2.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 GM3 封装。

MML4401-GM3/TR

Microchip Technology · 封装:GM2

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 Fast Surface Mount MRI Protection Diode、反向电压(Vr) 75 V、最大二极管电容 1.5 pF、正向电流(If) 100 mA、最小工作温度 - 55 C,采用 GM2 封装。

MML4402-GM2

Microchip Technology · 封装:GM2

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C,采用 GM2 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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