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JDP2S12CR(TE85L,Q

Toshiba · 封装：S-FLAT-2

该型号为二极管，主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 PIN Diodes、反向电压（Vr） 180 V、配置 Single、端接方式 表面贴装（SMD/SMT），采用 S-FLAT-2 封装。
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GC4600-01

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 1500 V、最大二极管电容 0.75 pF、最大最大正向电流下串联电阻 300 mOhms、正向电流（If） 10 mA、最小工作温度 - 55 C。
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GC4605-172

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括类型 HIgh Power PIN Diode、反向电压（Vr） 2500 V、最大二极管电容 3 pF、最大最大正向电流下串联电阻 150 mOhms、正向电流（If） 10 mA、最小工作温度 - 55 C。
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GC4601-172

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括类型 High Power PIN Diode、反向电压（Vr） 1500 V、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 250 mOhms、正向电流（If） 500 mA、最小工作温度 - 55 C。
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