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20,447 条型号记录
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HUM2015SM

Microchip / Microsemi · 封装:MELF

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 0.5 GHz、类型 High Power Pin Diodes、反向电压(Vr) 1500 V、最大二极管电容 4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 200 mOhms、正向电流(If) 500 mA,采用 MELF 封装。

1SV308TH3FT

Toshiba · 封装:SOD-523-2

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 300 MHz、类型 PIN Diodes、反向电压(Vr) 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω,采用 SOD-523-2 封装。

GC4210-15

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括类型 High Speed PIN Diode、反向电压(Vr) 100 V、最大二极管电容 0.06 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流(If) 20 mA、最小工作温度 - 55 C。

GC4723-79

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 18 GHz、类型 Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 0.5 pF、正向电流(If) 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。

SMX0508-M1

Microchip / Microsemi · 封装:MELF

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 2 GHz、类型 Control Pin Diodes Devices、最大二极管电容 0.9 pF、最大最大正向电流下串联电阻 400 mOhms、正向电流(If) 100 mA、最小工作温度 - 55 C,采用 MELF 封装。

GC4800A-14

Microchip / Microsemi

该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 18 GHz、类型 Planar Beamlead Pin Diodes、最大二极管电容 0.02 pF、最大最大正向电流下串联电阻 6.5 Ω、正向电流(If) 20 mA、正向电压(Vf) 1 V。

QPP2209TR7X

Qorvo · 封装:QFN-20

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 8 GHz、最大工作频率 12 GHz、类型 VPIN Limiter、配置 Single、恢复时间 115 ns,采用 QFN-20 封装。

BA679S-GS18

Vishay Semiconductors · 封装:Mini-MELF SOD-80

该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 3 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 Attenuator、反向电压(Vr) 30 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 50 Ω,采用 Mini-MELF SOD-80 封装。

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