1SV271TPH3F
Toshiba · 封装:USC-2
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 PIN Diodes、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 3 Ω,采用 USC-2 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Toshiba · 封装:USC-2
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 30 MHz、最大工作频率 3 GHz、类型 PIN Diodes、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.4 pF、最大最大正向电流下串联电阻 3 Ω,采用 USC-2 封装。MACOM
该型号为二极管。Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。Skyworks Solutions, Inc. · 封装:QFN-3
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 100 MHz、最大工作频率 30 GHz、反向电压(Vr) 180 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.2 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-3 封装。MACOM · 封装:SOT-23
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 25 MHz、最大工作频率 2500 MHz、反向电压(Vr) 75 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流(If) 150 mA,采用 SOT-23 封装。MACOM
该型号为二极管。Microchip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 18 GHz、类型 Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 0.5 pF、正向电流(If) 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。MACOM · 封装:FlipChip
该型号为二极管,主要参数包括反向电压(Vr) 45 V、最大二极管电容 0.03 pF、最大最大正向电流下串联电阻 7 Ω、正向电压(Vf) 1.33 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C,采用 FlipChip 封装。Microchip / Microsemi
该型号为二极管。Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。Infineon Technologies · 封装:SOD-323-2
该型号为二极管,主要参数包括类型 Switch、反向电压(Vr) 35 V、最大二极管电容 1.1 pF、最大最大正向电流下串联电阻 500 mOhms、正向电流(If) 100 mA、正向电压(Vf) 1 V,采用 SOD-323-2 封装。MACOM · 封装:ODS-1314
该型号为二极管,主要参数包括类型 Pin Diode、反向电压(Vr) 115 V、最大二极管电容 0.38 pF、最大最大正向电流下串联电阻 720 mOhms、正向电流(If) 10 mA、正向电压(Vf) 0.74 V,采用 ODS-1314 封装。Skyworks Solutions, Inc.
该型号为二极管。Microchip / Microsemi · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、类型 Control Devices Surface Mount PIN Diodes、反向电压(Vr) 500 V、最大二极管电容 0.35 pF、最大最大正向电流下串联电阻 800 mOhms,采用 0805 封装。MACOM
该型号为二极管。Microchip / Microsemi
该型号为二极管,主要参数包括最大工作频率 18 GHz、类型 Limiter Pin Diodes、最大二极管电容 0.5 pF、正向电流(If) 10 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C。Microchip / Microsemi · 封装:GM3
该型号为二极管,主要参数包括类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Dual,采用 GM3 封装。Microchip / Microsemi · 封装:0805
该型号为二极管,主要参数包括最小工作频率 50 MHz、最大工作频率 12 GHz、类型 High Voltage, High Power、反向电压(Vr) 50 V、最大二极管电容 0.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 800 mOhms,采用 0805 封装。Microchip / Microsemi · 封装:GM3
该型号为二极管,主要参数包括类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Dual,采用 GM3 封装。Microchip / Microsemi · 封装:GM2
该型号为二极管,主要参数包括类型 MRI Receiver Protection、最大二极管电容 1.5 pF、最大最大正向电流下串联电阻 1 Ω、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single,采用 GM2 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。