BQ500511RHAR
Texas Instruments · 封装:VQFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是,采用 VQFN-40 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:VQFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是,采用 VQFN-40 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-28
该型号为集成电路,主要参数包括输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 125 C、类型 Integrated Wireless Power Supply Receiver、标准 WPC 1.1、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 125 C,采用 DSBGA-28 封装。ROHM Semiconductor · 封装:UCSP50L3C
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 0~15 V、输出电压 4.3~5.3 V、输出电流 1.1 A、电池类型 Li-Ion、标准 Qi, WPC 1.1、产品 Receiver,采用 UCSP50L3C 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 19 V、输出电流 10 mA、工作温度范围 - 40 C to + 110 C、类型 Qi Compliant Wireless Power Transmitter Manager、标准 WPC 1.0、产品 Transmitter,采用 VQFN-48 封装。Texas Instruments · 封装:VQFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 110 C、类型 Qi Compliant Wireless Power Transmitter Manager、产品 Transmitter、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 110 C,采用 VQFN-48 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。IDT
该型号为集成电路。Texas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括输出电压 4.5~8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、标准 WPC 1.1、产品 Receiver、输出功率 5 W、最小工作温度 - 40 C。Texas Instruments · 封装:DSBGA-28
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4~10 V、输出电压 7 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Receiver、输出功率 5 W,采用 DSBGA-28 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-42
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4~10 V、输出电压 4.5~8 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、电池类型 Li-Ion、标准 WPC 1.1,采用 DSBGA-42 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-28
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4~10 V、输出电压 4.35 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 125 C、类型 Single-Stage Wireless Power Receiver、标准 WPC 1.1,采用 DSBGA-28 封装。NXP / Freescale · 封装:QFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、产品 Transmitter、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、型号别名 935320081557,采用 QFN-32 封装。Semtech · 封装:QFN-36
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、标准 WPC, PMA、产品 Transmitter、输入电压范围 2~3.6 V、输出功率 40 W、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-36 封装。NXP Semiconductors
该型号为集成电路,主要参数包括型号别名 935369402118。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括产品 Transmitter、湿敏性 是。NXP Semiconductors · 封装:HVQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 5 V、输出电压 5 V、输出电流 1.5 A、标准 WPC、产品 Transmitter、输入电压范围 0~1.5 V,采用 HVQFN-32 封装。IDT · 封装:VFQFPN-56
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.5~6.9 V、输出电流 10 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Power Transmitter、标准 WPC 1.1、产品 Transmitter,采用 VFQFPN-56 封装。IDT · 封装:VFQFPN-32
该型号为集成电路,主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Ultra-Compact Qi Wireless Power Receiver IC、标准 WPC 1.1、产品 Receiver,采用 VFQFPN-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:LQFP-100
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.71~3.6 V、产品 Transmitter、输入电压范围 1.71~3.6 V、输出功率 65 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 LQFP-100 封装。NXP Semiconductors
该型号为集成电路,主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935321975557、单件重量 0.002275 oz。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。