QPC4510TR7
Qorvo · 封装:QFN-28
主要参数包括射频频率 17.7~26.5 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 6.85~15.25 GHz、产品 Up-Converters、增益 13 dB、噪声系数(NF) 15 dB,采用 QFN-28 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Qorvo · 封装:QFN-28
主要参数包括射频频率 17.7~26.5 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 6.85~15.25 GHz、产品 Up-Converters、增益 13 dB、噪声系数(NF) 15 dB,采用 QFN-28 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.15~3.45 V、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、射频频率 5.9~23.6 GHz、中频频率 800 MHz to 3.5 GHz、本振频率 5.4~14 GHz,采用 LFCSP-32 封装。Analog Devices · 封装:LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.15~3.45 V、电源电压(最大值) 3.45 V、电源电压(最小值) 3.15 V、射频频率 5.9~23.6 GHz、中频频率 800 MHz to 3.5 GHz、本振频率 5.4~14 GHz,采用 LFCSP-32 封装。NXP Semiconductors · 封装:LQFP-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、输出电压 4 V、输出电流 20 mA、产品 Transmitter、输入电压范围 5~24 V、工作电源电流 1.8 mA, 19 mA,采用 LQFP-48 封装。Semtech · 封装:WCSP-25
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、输出电压 5 V、输出电流 500 mA、电池类型 Li-Ion, Li-Polymer、标准 A4WP, PMA, Qi、产品 Receiver,采用 WCSP-25 封装。IDT · 封装:WLCSP-52
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.1 V、输出电压 4.5~5.5 V、输出电流 1.25 A、标准 WPC 1.2.4, PMA、产品 Receiver、输出功率 5 W,采用 WLCSP-52 封装。NXP Semiconductors · 封装:LQFP-64
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Transmitter、输入电压范围 5~24 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是,采用 LQFP-64 封装。NXP Semiconductors · 封装:LQFP-64
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3~3.6 V、输出电压 1.22 V、输出电流 600 mA、标准 WPC、产品 Transmitter、输入电压范围 3~3.6 V,采用 LQFP-64 封装。Semtech · 封装:QFN-40
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8~5.5 V、输出电流 5 mA、标准 A4WP, PMA, Qi、产品 Transmitter、输入电压范围 1.8~5.5 V、输出功率 100 W,采用 QFN-40 封装。IDT · 封装:WLCSP-52
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 5 V、输出电压 9 V, 12 V、输出电流 1.25 A、标准 WPC 1.2.3、产品 Receiver、输出功率 15 W,采用 WLCSP-52 封装。Texas Instruments · 封装:DSBGA-42
该型号为集成电路,主要参数包括输出电压 4.5~8 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、标准 WPC 1.2, PMA、产品 Receiver、输出功率 5 W,采用 DSBGA-42 封装。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。IDT
该型号为集成电路,主要参数包括湿敏性 是。Texas Instruments · 封装:VSON-CLIP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 24 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、标准 WPC 1.2、产品 Transmitter、工作电源电流 2 mA,采用 VSON-CLIP-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-CLIP-8
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 24 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、标准 WPC 1.2、产品 Transmitter、输入电压范围 24 V,采用 VSON-CLIP-8 封装。NXP Semiconductors · 封装:HVQFN-32
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.5~5.25 V、工作温度范围 - 20 C to + 85 C、类型 Qi Wireless Transmitter、标准 Qi、产品 Transmitter、输出功率 8 W,采用 HVQFN-32 封装。IDT · 封装:VFQFN-48
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 4.25~21 V、输出电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、标准 WPC 1.2.2、产品 Transmitter、输入电压范围 4.25~21 V、输出功率 15 W,采用 VFQFN-48 封装。Semtech · 封装:QFN-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.95~5.5 V、产品 Transmitter、输入电压范围 2.95~5.5 V、输出功率 5 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C,采用 QFN-20 封装。Semtech · 封装:WCSP-20
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、输出电压 1.5~24 V、输出电流 400 mA、标准 A4WP, PMA, Qi、产品 Receiver、输入电压范围 3.5~40 V,采用 WCSP-20 封装。Semtech · 封装:QFN-16
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 12 V、输出电流 2 A、产品 Transmitter、输入电压范围 4.2~16.5 V、输出功率 5 W、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。