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型号列表

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HMC967LP4E

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 21~24 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.8~13.5 GHz,采用 QFN-24 封装。

HMC966LP4E

Analog Devices · 封装:QFN-24

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 17~20 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 7.5~11.75 GHz,采用 QFN-24 封装。

HMC908ALC5TR-R5

Analog Devices / Hittite

主要参数包括电源电压(最大值) 3 V, 5 V、电源电压(最小值) 3 V, 5 V、技术 Si、原产国家或地区 美国。

HMC908ALC5TR

Analog Devices · 封装:CLCC-32

主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3 V, 5 V、电源电压(最小值) 3 V, 5 V、射频频率 9~12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5~15.5 GHz,采用 CLCC-32 封装。

HMC908ALC5

Analog Devices · 封装:CLCC-32

主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3 V, 5 V、电源电压(最小值) 3 V, 5 V、射频频率 9~12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5~15.5 GHz,采用 CLCC-32 封装。

HMC904LC5

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 17~24 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 7.5~12.3 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

HMC815BLC5TR-R5

Analog Devices · 封装:CLCC-32

主要参数包括工作电源电压 4.5 V、电源电压(最大值) 4.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、射频频率 21~27 GHz、中频频率 0 Hz to 3.75 GHz、本振频率 10.5~14.5 GHz,采用 CLCC-32 封装。

HMC815BLC5TR

Analog Devices · 封装:CLCC-32

主要参数包括工作电源电压 4.5 V、电源电压(最大值) 4.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、射频频率 21~27 GHz、中频频率 0 Hz to 3.75 GHz、本振频率 10.5~14.5 GHz,采用 CLCC-32 封装。

HMC815BLC5

Analog Devices · 封装:CLCC-32

主要参数包括工作电源电压 4.5 V、电源电压(最大值) 4.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、射频频率 21~27 GHz、中频频率 0 Hz to 3.75 GHz、本振频率 10.5~14.5 GHz,采用 CLCC-32 封装。

HMC6789BLC5ATR

Analog Devices · 封装:LCC-16

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国,采用 LCC-16 封装。

HMC6789BLC5A

Analog Devices · 封装:LCC-16

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国、湿敏性 是,采用 LCC-16 封装。

HMC6787ALC5A

Analog Devices · 封装:QFN-16

主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 3 V、射频频率 37~40 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 16.5~22 GHz,采用 QFN-16 封装。

HMC6147ALC5A

Analog Devices · 封装:QFN-EP-16

主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 3 V、射频频率 37~44 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 16.5~22 GHz,采用 QFN-EP-16 封装。

HMC6146BLC5A

Analog Devices · 封装:QFN-16

主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 3 V、射频频率 40~44 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 18~22 GHz,采用 QFN-16 封装。

HMC572LC5

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 23~28 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 9~15.5 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

HMC571LC5TR

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 25 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 14 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

HMC571LC5

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 25 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 14 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

HMC570LC5TR

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 17~21 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 7~12 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

HMC570LC5

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、电源电压(最大值) 3.5 V、电源电压(最小值) 3.5 V、射频频率 17~21 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 7~12 GHz,采用 LFCSP-32 封装。

QPC4510SR

Qorvo · 封装:QFN-28

主要参数包括射频频率 17.7~26.5 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 6.85~15.25 GHz、产品 Up-Converters、增益 13 dB、噪声系数(NF) 15 dB,采用 QFN-28 封装。

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