ADMV4640BCPZN-RL7
Analog Devices
主要参数包括产品 Down Converters、原产国家或地区 韩国。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADRF6650ACPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-56
主要参数包括工作电源电压 3.3～5 V、电源电压（最大值） 3.4 V, 3.5 V, 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V, 3.2 V, 4.75 V、射频频率 450 MHz to 2.7 GHz、本振频率 450 MHz to 2.9 GHz、技术 Si，采用 LFCSP-56 封装。ADRF6650ACPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-56
主要参数包括工作电源电压 3.3～5 V、电源电压（最大值） 3.4 V, 3.5 V, 5.25 V、电源电压（最小值） 3.1 V, 3.2 V, 4.75 V、射频频率 450 MHz to 2.7 GHz、本振频率 450 MHz to 2.9 GHz、技术 Si，采用 LFCSP-56 封装。HMC1065LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 3 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 27～34 GHz、中频频率 0 Hz to 4 GHz、本振频率 11.5～19 GHz，采用 QFN-24 封装。HMC1113LP5E
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、电源电压（最大值） 3 V, 4 V、电源电压（最小值） 3 V, 4 V、射频频率 10～16 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-32 封装。HMC1113LP5ETR
Analog Devices · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、电源电压（最大值） 3 V, 4 V、电源电压（最小值） 3 V, 4 V、射频频率 10～16 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、技术 GaAs，采用 QFN-32 封装。MAX2690EUB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：USOP-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、增益 7.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 USOP-10 封装。MAX2690EUB+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：USOP-10
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、增益 7.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 USOP-10 封装。MAX2682EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz，采用 SOT-23-6 封装。MAX2681EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz，采用 SOT-23-6 封装。MAX2680EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz，采用 SOT-23-6 封装。MAX2680AUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 400 MHz to 2.5 GHz，采用 SOT-23-6 封装。MAX2673EUA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：uMAX-8
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、增益 12.6 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 uMAX-8 封装。MAX2671EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 400 MHz to 2.5 GHz、中频频率 40～500 MHz、本振频率 600 MHz to 2.5 GHz，采用 SOT-23-6 封装。MAX2661EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、增益 10.7 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-23-6 封装。MAX2660EUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 2.5 GHz、中频频率 500 MHz、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。MAX19997AETX+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V、技术 SiGe、增益 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX19997AETX+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 1.8～2.9 GHz、中频频率 50～550 MHz、本振频率 1.95～3.4 GHz，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX19996ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V、射频频率 3 GHz、中频频率 500 MHz、技术 SiGe，采用 TQFN-EP-20 封装。HMC977LP4E
Analog Devices · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、电源电压（最大值） 4.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、射频频率 20～28 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.3～15.7 GHz，采用 QFN-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。