MAX9996ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX9996，采用 TQFN-20 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX9996ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 4.75～5.25 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 1.7～2.2 GHz、中频频率 40～350 MHz、本振频率 1.9～2.4 GHz，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9994ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9994ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 1.4～2.2 GHz、中频频率 40～350 MHz、本振频率 1.4～2 GHz，采用 QFN-EP-20 封装。MAX9986AETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9986AETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9985ETX+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 7.5 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX9985ETX+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、射频频率 1 GHz、中频频率 250 MHz、技术 SiGe，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX9984ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9984ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、技术 SiGe、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C，采用 TQFN-EP-20 封装。CMX975Q4
CML Micro · 封装：VQFN-40
主要参数包括工作电源电压 2.7～3.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、射频频率 1～2.7 GHz、中频频率 10～500 MHz、本振频率 700 MHz to 3 GHz，采用 VQFN-40 封装。CMX975Q4-REEL
CML Micro · 封装：VQFN-40
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、增益 7 dB、噪声系数（NF） 15 dB、原产国家或地区 GB，采用 VQFN-40 封装。QPB2500SR
Qorvo
Up-Down Converters 6-20 GHz Down Converter multi-chip modulQPC4610SR
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。QPC4610TR7
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国。ADMV4530BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-40
主要参数包括工作电源电压 3.8～4.2 V、电源电压（最大值） 1.9 V, 3.4 V, 4.2 V、电源电压（最小值） 1.7 V, 3.2 V, 3.8 V、射频频率 27～31 GHz、中频频率 2.7 GHz、本振频率 25.6～30 GHz，采用 LGA-40 封装。ADMV4530BCCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-40
主要参数包括工作电源电压 4 V、电源电压（最大值） 1.9 V, 3.4 V, 4.2 V、电源电压（最小值） 1.7 V, 3.2 V, 3.8 V、射频频率 27～31 GHz、中频频率 2.7 GHz、本振频率 25.6～30 GHz，采用 LGA-40 封装。ADMV4630BCPZN
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、产品 Up Converters、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是。ADMV4630BCPZN-RL7
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、产品 Up Converters、原产国家或地区 韩国。ADMV4640BCPZN
Analog Devices
主要参数包括产品 Down Converters、组装国家或地区 韩国、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。