HMC6146BLC5ATR
Analog Devices
Up-Down Converters 40.5-43.5GHz IQ Up Converter射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录F1162BNBGI
IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion。EMRS-11FTR
MACOM · 封装：SM-1
主要参数包括最大输入频率 350 MHz、最大工作频率 2000 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 55 C，采用 SM-1 封装。RFFC0085TR13
Qorvo · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 50～150 MHz、本振频率 80～220 MHz、技术 硅、产品 Down Converters、增益 77 dB，采用 QFN-16 封装。HMC570LC5TR-R5
Analog Devices · 封装：$5.88
采用 $5.88 封装。ADMV4420ACPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 16.95～22.05 GHz、中频频率 900～2500 MHz、本振频率 16.75～21.15 GHz、技术 SiGe、产品 Down Converters，采用 LFCSP-32 封装。HMC6789BLC5ATR-R5
Analog Devices
Up-Down Converters 37-40GHz DownconverterHMC6146BLC5ATR-R5
Analog Devices · 封装：$72.88
采用 $72.88 封装。F1162BNBGI8
IDT
主要参数包括商品名称 Zero-Distortion。TGC4402-SM
Qorvo
主要参数包括射频频率 17～27 GHz、中频频率 0.5～3 GHz、本振频率 14～28 GHz、产品 Up Converters、增益 - 9 dB、噪声系数（NF） 9 dB。F1180NBGI
IDT
Up-Down Converters Dual RF Down Converting MixerHMC908ALC5TR
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 3 V, 5 V、射频频率 9～12 GHz、中频频率 0 Hz to 3.5 GHz、本振频率 8.5～15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。HMC6789BLC5ATR
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
采用 QFN-EP-32 封装。MA4EX180H-1225T
MACOM · 封装：SOT-25
主要参数包括最大输入频率 1300 MHz、最大工作频率 1900 MHz、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-25 封装。TGC4610-SM T/R
Qorvo
Up-Down Converters RF 17-27GHz NF 2.5dB Gain 15dBADMV4420ACPZ-R2
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 16.95～22.05 GHz、中频频率 900～2500 MHz、本振频率 16.75～21.15 GHz、技术 SiGe、产品 Down Converters，采用 LFCSP-32 封装。TDA9899HN/V2,518
NXP Semiconductors · 封装：HVQFN-48
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大工作温度 + 70 C、最小工作温度 - 20 C、型号别名 935282856518、单件重量 0.004337 oz，采用 HVQFN-48 封装。HMC1190ALP6NETR
Analog Devices
Up-Down Converters Wideband Dual-Dwn convrtr/PLL/VCO MCMHMC951ALP4ETR
Analog Devices · 封装：LFCSP-24
主要参数包括射频频率 5.6～8.6 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 4.5～12.1 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters、增益 13 dB，采用 LFCSP-24 封装。TGC4510-SM T/R
Qorvo
主要参数包括型号别名 1098636。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。