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型号列表

20,447 条型号记录
每页 20 条

HMC815BLC5TR

Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-32

主要参数包括工作电源电压 4.5 V、射频频率 21~27 GHz、中频频率 DC to 3.75 GHz、本振频率 10.5~14.5 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters,采用 LCC-32 封装。

F1178NBGI8

IDT

主要参数包括商品名称 Zero-Distortion、型号别名 IDTF1178。

HMC1113LP5ETR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32

主要参数包括工作电源电压 3 V, 4 V、射频频率 10~16 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters、增益 12 dB,采用 QFN-32 封装。

HMC570

Analog Devices / Hittite · 封装:DIE

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 21 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 12 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters,采用 DIE 封装。

ADMV1012AEZ-R7

Analog Devices · 封装:LCC-32

主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 17.5~24 GHz、中频频率 2.5~3.5 GHz、本振频率 7~13.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters,采用 LCC-32 封装。

HMC571LC5TR

Analog Devices / Hittite · 封装:QFN-32

主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 25 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 14 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters,采用 QFN-32 封装。

TFF1044HN/N1Y

NXP Semiconductors

主要参数包括型号别名 935304432518、单件重量 0.001392 oz。

HMC815BLC5TR-R5

Analog Devices / Hittite · 封装:LCC-32

主要参数包括工作电源电压 4.5 V、射频频率 21~27 GHz、中频频率 DC to 3.75 GHz、本振频率 10.5~14.5 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters,采用 LCC-32 封装。

TGC4546-SM

Qorvo · 封装:QFN-28

主要参数包括工作电源电压 4 V, 5 V、射频频率 36~45 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 8.1~10.4 GHz、产品 Up Converters、增益 11 dB,采用 QFN-28 封装。

EMD40-1800LTR

MACOM · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大输入频率 1400 MHz、最大工作频率 2000 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。

MAMXES0004

MACOM · 封装:SM-125

主要参数包括最大输入频率 925 MHz、最大工作频率 960 MHz、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 SM-125 封装。

TGC4402

Qorvo

主要参数包括射频频率 17~27 GHz、中频频率 0.5~3 GHz、本振频率 14~28 GHz、产品 Up Converters、增益 - 9 dB、噪声系数(NF) 9 dB。

ADRF6780ACPZN-R2

Analog Devices · 封装:LFCSP-32

主要参数包括射频频率 5.9~23.6 GHz、中频频率 0.8~3.5 GHz、本振频率 5.4~14 GHz、技术 SiGe、产品 Up Converters、增益 13 dB,采用 LFCSP-32 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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