MAX9985ETX+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 1000 MHz、最大工作频率 250 MHz、增益 7.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-36 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录MAX19985AETX+T
Maxim Integrated
主要参数包括射频频率 700 MHz to 1 GHz、中频频率 50～500 MHz、本振频率 900 MHz to 1.3 GHz、产品 Down Converters、增益 8.7 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 12.6 dBm。HMC8119
Analog Devices · 封装：DIE
主要参数包括工作电源电压 4 V、射频频率 81～86 GHz、中频频率 0～10 GHz、本振频率 11.83～14.33 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 DIE 封装。MAX9986AETP+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 1000 MHz、最大工作频率 250 MHz、增益 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-20 封装。HMC572
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 28 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 DIE 封装。MAX9994ETP+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 2200 MHz、最大工作频率 350 MHz、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-20 封装。AD9957BSVZ-REEL
Analog Devices · 封装：TQFP-100
主要参数包括最大工作温度 + 85 C、开发套件 AD9957/PCBZ、最小工作温度 - 40 C、湿敏性 是、单件重量 0.023175 oz，采用 TQFP-100 封装。MAX9984ETP+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 1000 MHz、最大工作频率 250 MHz、增益 9.2 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-20 封装。HMC967LP4ETR
Analog Devices · 封装：RF Switch ICs
采用 RF Switch ICs 封装。HMC683LP6CETR
Analog Devices
Up-Down Converters Hi IP3 Dual Dwncnv, w/LO Swt, 0.7-1.0GHzHMC8108LC5TR-R5
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 9～10 GHz、中频频率 0.02～1 GHz、本振频率 9～10 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 LCC-32 封装。ADRF6780ACPZN
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括射频频率 5.9～23.6 GHz、中频频率 0.8～3.5 GHz、本振频率 5.4～14 GHz、技术 SiGe、产品 Up Converters、增益 13 dB，采用 LFCSP-32 封装。ADF5904ACPZ-RL7
Analog Devices
Up-Down Converters 24GHz 4 Channel Rx non-IQ MMICADRF6658BCPZ-RL7
Analog Devices
Up-Down Converters Wdebnd Dual RX Mixer w/ Integrated IMAX19997AETX+T
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 2400 MHz、最大工作频率 500 MHz、增益 9.3 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-36 封装。RFUV1003SR
Qorvo · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 12～16 GHz、中频频率 DC to 4 GHz、本振频率 8～20 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 QFN-32 封装。HMC571
Analog Devices / Hittite · 封装：DIE
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 25 GHz、中频频率 3.5 GHz、本振频率 14 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 DIE 封装。ADMV1009AEZ-R7
Analog Devices · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 12.7～15.4 GHz、中频频率 2.8～4 GHz、本振频率 9～12.6 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 LCC-32 封装。HMC7912LP5ETR
Analog Devices · 封装：Reel
采用 Reel 封装。ADF5904WCCPZ-RL7
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 24 GHz、本振频率 24.25 GHz、最大工作频率 24.25 GHz、产品 Down Converters、增益 22 dB，采用 LFCSP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。