HMC815BLC5
Analog Devices / Hittite · 封装：LCC-32
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、射频频率 21～27 GHz、中频频率 DC to 3.75 GHz、本振频率 10.5～14.5 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 LCC-32 封装。射频与无线
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型号列表
20,447 条型号记录ADF5904WCCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-32
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 24～24.25 GHz、本振频率 24～24.25 GHz、最大工作频率 24.25 GHz、产品 Down Converters、增益 22 dB，采用 LFCSP-32 封装。HMC572LC5
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-32
主要参数包括工作电源电压 3.5 V、射频频率 23～28 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 9～15.5 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-32 封装。MAX9993ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 5 V、最大输入频率 2200 MHz、最大工作频率 350 MHz、增益 8.5 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX19997AETX+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 1.8～2.9 GHz、中频频率 50～550 MHz、本振频率 1.95～3.4 GHz、最大输入频率 2400 MHz、最大工作频率 500 MHz，采用 TQFN-EP-36 封装。MAX19993ETX+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 1.2～1.7 GHz、中频频率 50～500 MHz、本振频率 1～1.56 GHz、产品 Down Converters、增益 6.4 dB，采用 TQFN-EP-36 封装。HMC6146BLC5A
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 40～44 GHz、中频频率 0～4 GHz、本振频率 18～22 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 QFN-16 封装。MAX2411AEEI+
Maxim Integrated · 封装：QSOP-28
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、射频频率 1.9 GHz、中频频率 450 MHz、最大工作频率 1.9 GHz、产品 Down/Up Converters、增益 15 dB，采用 QSOP-28 封装。MAX2410EEI+
Maxim Integrated · 封装：QSOP-28
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、最大输入频率 1900 MHz、最大工作频率 450 MHz、增益 11.1 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 QSOP-28 封装。MAX9985ETX+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 1000 MHz、中频频率 250 MHz、最大输入频率 1000 MHz、最大工作频率 250 MHz、产品 Down Converters，采用 TQFN-EP-36 封装。ADRF6658BCPZ
Analog Devices · 封装：LFCSP-48
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、射频频率 690 MHz to 3.8 GHz、中频频率 10～520 MHz、本振频率 690 MHz to 4.1 GHz、产品 Down Converters、增益 26.5 dB，采用 LFCSP-48 封装。MAX19985AETX+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-36
主要参数包括射频频率 700 MHz to 1 GHz、中频频率 50～500 MHz、本振频率 900 MHz to 1.3 GHz、产品 Down Converters、增益 8.7 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 12.6 dBm，采用 TQFN-36 封装。HMC6147ALC5A
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 37～44 GHz、中频频率 0～4 GHz、本振频率 16.5～22 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-EP-32 封装。HMC977LP4E
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-24
主要参数包括工作电源电压 4.5 V、射频频率 20～28 GHz、中频频率 DC to 3.5 GHz、本振频率 8.3～15.7 GHz、技术 GaAs、产品 Down Converters，采用 QFN-24 封装。HMC6787ALC5A
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-16
主要参数包括工作电源电压 3 V、射频频率 37～40 GHz、中频频率 0～4 GHz、本振频率 16.5～22 GHz、技术 GaAs、产品 Up Converters，采用 QFN-16 封装。MAX19996ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括工作电源电压 3.3 V, 5 V、射频频率 3000 MHz、中频频率 500 MHz、最大工作频率 3000 MHz、产品 Down Converters、增益 8.7 dB，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX9995ETX+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-36
主要参数包括工作电源电压 5 V、射频频率 2700 MHz、中频频率 350 MHz、最大输入频率 2200 MHz、最大工作频率 350 MHz、产品 Down Converters，采用 TQFN-EP-36 封装。HMC7587-SX
Analog Devices
Up-Down Converters 81-86GHz LNCHMC8119-SX
Analog Devices
Up-Down Converters E-band 81-86 GHz I/Q Up-converterHMC6789BLC5A
Analog Devices / Hittite · 封装：QFN-EP-32
主要参数包括湿敏性 是，采用 QFN-EP-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。