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FPGA 与可编程逻辑

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XA7A25T-1CPG238I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-238

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 112 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-238 封装。
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XA7A25T-1CPG238Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-238

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 112 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-238 封装。
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XA7A25T-1CSG325I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A35T-1CSG325Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A35T-2CSG324I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A35T-2CSG325I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A50T-1CPG236Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-236

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 CSBGA-236 封装。
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XA7A50T-1CSG324I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A50T-1CSG324Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A50T-1CSG325I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A50T-1CSG325Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A50T-2CPG236I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-236

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-236 封装。
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XA7A50T-2CSG324I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A50T-2CSG325I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。
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XA7A75T-1CSG324Q

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 75520 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A75T-1FGG484I

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。
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XA7A75T-1FGG484Q

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。
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XA7A75T-2CSG324I

AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 75520 LE，采用 CSBGA-324 封装。
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XA7A75T-2FGG484I

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。
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XA7K160T-1FFG676Q

AMD / Xilinx

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
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