GW2AN-LV18XUG324C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 381 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 381 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 279 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。