GW1NSER-LV4CQN48PC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 32 kB、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V,采用 QFN-48 封装。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 32 kB、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V,采用 QFN-48 封装。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-32
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C,采用 QFN-32 封装。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 25 个输入/输出、逻辑单元数 1152 LE。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 40 个输入/输出、逻辑单元数 1152 LE。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 40 个输入/输出、逻辑单元数 1152 LE。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 25 个输入/输出、逻辑单元数 1152 LE。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 25 个输入/输出、逻辑单元数 1152 LE。GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 76 kbit、输入/输出数 40 个输入/输出、电源电压(最小值) 900 mV、电源电压(最大值) 900 mV、工作电源电压 900 mV,采用 QFN-48 封装。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、逻辑单元数 20736 LE、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 Arora。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。