GW1NR-LV9MG100PAC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1NR-LV9MG100PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 87 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 8640 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-LV9MG100PC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GW1NR-LV9MG100PDC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9MG100PDC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9MG100PFC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 128 MB、输入／输出数 87 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-100 封装。GW1NR-LV9MG100PFC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9MG100PSC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9MG100PSC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 64 MB、输入／输出数 87 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-100 封装。GW1NR-LV9MG100PTC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9MG100PTC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 64 MB、输入／输出数 87 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-100 封装。GW1NR-LV9QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。GW1NR-LV9QN88C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV9QN88PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 8640 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-UV2MG49PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-UV4MG81PC5/I4
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NR-UV4MG81PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 68 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、逻辑单元数 4608 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-UV4QN88C5/I4
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NR-UV4QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、逻辑单元数 4608 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-UV4QN88PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。