GW1N-UV9PG256C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 PBGA-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-UV9QN48C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 40 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 QFN-48 封装。GW1N-UV9QN48C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 QFN-48 封装。GW1N-UV9QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 QFN-88 封装。GW1N-UV9UG169C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-169
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 129 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 8640 LE、最小工作温度 0 C，采用 UBGA-169 封装。GW1N-UV9UG256C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 UBGA-256 封装。GW1N-UV9UG332C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-332
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 UBGA-332 封装。GW1N-UV9UG332C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-332
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 UBGA-332 封装。GW1NR-LV1FN32GC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 4 MB、输入／输出数 26 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 QFN-32 封装。GW1NR-LV1QN32XC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV1QN48XC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1NR-LV2MG49PC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-49
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 64 MB、输入／输出数 30 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-49 封装。GW1NR-LV2QN48PC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 4 MB、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 2304 LE，采用 QFN-48 封装。GW1NR-LV4MG81PC5/I4
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NR-LV4MG81PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 68 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4608 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-LV4QN88C5/I4
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NR-LV4QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4608 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-LV4QN88PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NR-LV9LQ144PC6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 120 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 8640 LE、最小工作温度 0 C。GW1NR-LV9LQ144PC7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。