GW1N-UV4QN48C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-48 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-UV4QN48C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 40 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 QFN-48 封装。GW1N-UV4QN88A4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-88 封装。GW1N-UV4QN88C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-88 封装。GW1N-UV4QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-88 封装。GW1N-UV4UG169C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-169
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 256 kbit、输入／输出数 218 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 UBGA-169 封装。GW1N-UV9CM64C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-64 封装。GW1N-UV9CM64C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 WLCSP-64 封装。GW1N-UV9EQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：ELQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 ELQFP-144 封装。GW1N-UV9EQ176C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 QFN-176 封装。GW1N-UV9LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV9LQ144C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV9LQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 120 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV9LQ176C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-176 封装。GW1N-UV9MG160A4
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-UV9MG160C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-UV9MG160C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 131 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 MBGA-160 封装。GW1N-UV9MG160C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 BGA-160 封装。GW1N-UV9MG196C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-196 封装。GW1N-UV9PG256C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。