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FPGA 与可编程逻辑

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27,592 条型号记录
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GW1N-UV2MG49C7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-49

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-49 封装。
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GW1N-UV2PG256C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV2PG256MC6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV2QN32C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-32 封装。
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GW1N-UV2QN32C7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。
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GW1N-UV2QN32XC6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。
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GW1N-UV2QN32XC7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。
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GW1N-UV2QN88C7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-88 封装。
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GW1N-UV4LQ100C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 LQFP-100 封装。
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GW1N-UV4LQ144C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。
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GW1N-UV4LQ144C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 LQFP-144 封装。
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GW1N-UV4MG132XC6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 MBGA-132 封装。
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GW1N-UV4MG160C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。
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GW1N-UV4MG160C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 131 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 MBGA-160 封装。
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GW1N-UV4PG256C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV4PG256C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV4PG256MC5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV4PG256MC6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 PBGA-256 封装。
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GW1N-UV4QN32C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-32 封装。
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GW1N-UV4QN32C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 24 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.71～3.465 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 QFN-32 封装。
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