GW1N-UV1P5LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 96 kbit、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 LQFP-100 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-UV1P5LQ100XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV1P5QN48XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-48 封装。GW1N-UV1P5QN48XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-48 封装。GW1N-UV2CS72C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-72
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 WLCSP-72 封装。GW1N-UV2LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV2LQ100C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV2LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV2LQ100XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV2LQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV2LQ144C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV2LQ144XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV2LQ144XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-UV2MG132C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 BGA-132 封装。GW1N-UV2MG132C6/I5 ETV1
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-132 封装。GW1N-UV2MG132C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-132 封装。GW1N-UV2MG132XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 BGA-132 封装。GW1N-UV2MG132XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-132 封装。GW1N-UV2MG160C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-UV2MG49C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-49
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-49 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。