GW1N-LV9MG160I5H
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 MBGA-160 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-LV9MG196C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-196 封装。GW1N-LV9MG196C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-196 封装。GW1N-LV9PG256C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV9PG256C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV9PG256C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-256 封装。GW1N-LV9QN48C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 40 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 QFN-48 封装。GW1N-LV9QN48I5H
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 QFN-48 封装。GW1N-LV9QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 QFN-88 封装。GW1N-LV9QN88C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-88 封装。GW1N-LV9UG169C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-169
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 UBGA-169 封装。GW1N-LV9UG169C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-169
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 UBGA-169 封装。GW1N-LV9UG256C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 UBGA-256 封装。GW1N-LV9UG256C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 UBGA-256 封装。GW1N-LV9UG332C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-332
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 UBGA-332 封装。GW1N-LV9UG332C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-332
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 UBGA-332 封装。GW1N-LV9UG332C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：UBGA-332
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 UBGA-332 封装。GW1N-UV1LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV1P5LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 96 kbit、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV1P5LQ100C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。