GW1N-LV4QN88C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-88 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-LV9CM64C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-64 封装。GW1N-LV9CM64C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 55 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 WLCSP-64 封装。GW1N-LV9CM64C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-64 封装。GW1N-LV9CS81MC5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-81
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-81 封装。GW1N-LV9CS81MC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-81
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 WLCSP-81 封装。GW1N-LV9CS81MC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-81
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 WLCSP-81 封装。GW1N-LV9EQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 QFN-144 封装。GW1N-LV9EQ144C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：eLQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 eLQFP-144 封装。GW1N-LV9EQ176C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 QFN-176 封装。GW1N-LV9EQ176C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-176 封装。GW1N-LV9LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV9LQ100C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 608 kbit、输入／输出数 276 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV9LQ144C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV9LQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 468 kbit、输入／输出数 120 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV9MG100TC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-100 封装。GW1N-LV9MG160A4
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-LV9MG160C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-LV9MG160C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 131 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 8640 LE，采用 MBGA-160 封装。GW1N-LV9MG160C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 608 kbit、输入／输出数 273 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-160 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。