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FPGA 与可编程逻辑

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GW1N-LV2QN48C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 QFN-48 封装。

GW1N-LV2QN48C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 QFN-48 封装。

GW1N-LV2QN48HC7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入/输出数 125 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz,采用 QFN-48 封装。

GW1N-LV2QN88A4

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 QFN-88 封装。

GW1N-LV2QN88A5(??)

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入/输出数 125 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz,采用 QFN-88 封装。

GW1N-LV2QN88C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 QFN-88 封装。

GW1N-LV2QN88C7/I6

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入/输出数 125 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz,采用 QFN-88 封装。

GW1N-LV4CS72C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:WLCSP-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 WLCSP-72 封装。

GW1N-LV4CS72C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:WLCSP-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 WLCSP-72 封装。

GW1N-LV4LQ100A4

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 LQFP-100 封装。

GW1N-LV4LQ100C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 LQFP-100 封装。

GW1N-LV4LQ100C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 LQFP-100 封装。

GW1N-LV4LQ144C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 LQFP-144 封装。

GW1N-LV4LQ144C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 119 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 LQFP-144 封装。

GW1N-LV4MG132XC6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:BGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V,采用 BGA-132 封装。

GW1N-LV4MG160C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:MBGA-160

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 MBGA-160 封装。

GW1N-LV4MG160C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:MBGA-160

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 131 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 MBGA-160 封装。

GW1N-LV4QN32C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-32

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 24 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 QFN-32 封装。

GW1N-LV4QN48C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-48

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 40 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 QFN-48 封装。

GW1N-LV4QN88A4

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 70 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE,采用 QFN-88 封装。

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