GW1N-LV2LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 LQFP-100 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-LV2LQ100XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV2LQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2LQ144C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2LQ144FC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2LQ144FC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2LQ144XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2LQ144XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-144 封装。GW1N-LV2MG121C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-121 封装。GW1N-LV2MG121C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-121 封装。GW1N-LV2MG121XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-121 封装。GW1N-LV2MG121XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-121 封装。GW1N-LV2MG132C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-132 封装。GW1N-LV2MG132C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-132 封装。GW1N-LV2MG132HC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-132 封装。GW1N-LV2MG132XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：BGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-132 封装。GW1N-LV2MG132XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 MBGA-132 封装。GW1N-LV2QN32C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。GW1N-LV2QN32XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。GW1N-LV2QN32XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-32 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。