GW1N-LV1LQ144C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 72 kbit、输入／输出数 116 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 1152 LE，采用 LQFP-144 封装。FPGA 与可编程逻辑
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
27,592 条型号记录GW1N-LV1P5LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 96 kbit、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1P5LQ100C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1P5LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 96 kbit、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1P5LQ100XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1P5QN48XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-48 封装。GW1N-LV1P5QN48XC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 QFN-48 封装。GW1N-LV1SCS16C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-16
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位，采用 WLCSP-16 封装。GW1N-LV1SCS30C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-30
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 44 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-30 封装。GW1N-LV1SCS30C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-30
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 72 kbit、输入／输出数 23 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 1152 LE，采用 WLCSP-30 封装。GW1N-LV1SFN32C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-32 封装。GW1N-LV2CS100HC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-100 封装。GW1N-LV2CS42C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-42
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-42 封装。GW1N-LV2CS42C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-42
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 WLCSP-42 封装。GW1N-LV2CS42HC7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-42
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 WLCSP-42 封装。GW1N-LV2CS72C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-72
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 WLCSP-72 封装。GW1N-LV2CS72C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-72
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 WLCSP-72 封装。GW1N-LV2LQ100A4
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV2LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV2LQ100C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 96 kbit、输入／输出数 125 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 450 MHz，采用 LQFP-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。