U1AFS1500-FGG256I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录U1AFS1500-FGG256
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。U1AFS1500-FG256I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。U1AFS1500-FG256
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。P1AFS600-2FGG484I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。10AS016E4F27I3SG
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-672 封装。10AS016E3F29E2LG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。10AS016E3F29E2SG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。10AS016E3F29I1HG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。10AS016E3F29I2LG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。10AS016E3F29I2SG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。10AS016E4F27E3LG
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-672 封装。10AS016E4F27E3SG
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-672 封装。10AS016E4F27I3LG
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-672 封装。10AS016E4F29E3LG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 8.59 Mbit、输入／输出数 288 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-780 封装。GW1N-LV1CS30C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-30
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 WLCSP-30 封装。GW1N-LV1CS30C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：WLCSP-30
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 72 kbit、输入／输出数 24 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 1152 LE，采用 WLCSP-30 封装。GW1N-LV1LQ100C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1LQ100XC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-100 封装。GW1N-LV1LQ144C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 LQFP-144 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。