M2GL150-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.88 Mbit、输入／输出数 574 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 BGA-1152 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录A3PN125-VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、总存储容量 36864 位、输入／输出数 71 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.425～1.575 V，采用 VQFP-100 封装。M2GL025T-FGG484I
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.08 Mbit、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 FBGA-484 封装。AFS600-FGG256I
Microchip Technology · 封装：FPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 108 kbit、输入／输出数 119 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.0989 GHz，采用 FPBGA-256 封装。A42MX09-2VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。M2GL005-TQG144
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 703 kbit、输入／输出数 84 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 6060 LE，采用 TQFP-144 封装。A42MX09-PQG100I
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A54SX16A-TQG144I
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 113 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 227 MHz，采用 TQFP-144 封装。AGLN250V5-CSG81I
Microchip Technology · 封装：CSP-81
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、输入／输出数 60 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 250 MHz，采用 CSP-81 封装。AGL125V2-CSG196I
Microchip Technology · 封装：CSP-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 133 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.2～1.5 V、最大工作频率 526.32 MHz, 892.86 MHz，采用 CSP-196 封装。AGL250V5-CSG196
Microchip Technology · 封装：CSP-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、总存储容量 36864 位、输入／输出数 143 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V，采用 CSP-196 封装。A3P125-FGG144I
Microchip Technology · 封装：FBGA-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、总存储容量 36864 位、输入／输出数 97 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V，采用 FBGA-144 封装。A3PN250-VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、总存储容量 36864 位、输入／输出数 68 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.425～1.575 V，采用 VQFP-100 封装。AGL600V5-FGG144
Microchip Technology · 封装：FBGA-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 108 kbit、输入／输出数 97 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 892.86 MHz，采用 FBGA-144 封装。M2GL025T-FGG484
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.08 Mbit、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 FPBGA-484 封装。M2GL050-VFG400
Microchip Technology · 封装：VFBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.78 Mbit、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 VFBGA-400 封装。A3P060-VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 18 kbit、总存储容量 18432 位、输入／输出数 71 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V，采用 VQFP-100 封装。A3PN125-VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 36 kbit、总存储容量 36864 位、输入／输出数 71 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.425～1.575 V，采用 VQFP-100 封装。A40MX02-PLG44
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-44 封装。M2GL010T-FGG484
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 PBGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。