LIFCL-40-9MG289C
Lattice · 封装：CSBGA-289
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 326 Kb、输入／输出数 180 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V，采用 CSBGA-289 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录LIFCL-40-9SG72C
Lattice · 封装：QFN-72
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 326 Kb、输入／输出数 40 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 QFN-72 封装。LIFCL-40-9MG289I
Lattice · 封装：CSBGA-289
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 326 Kb、输入／输出数 180 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 CSBGA-289 封装。A3P030-1QNG48
Microchip Technology · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz，采用 QFN-48 封装。A3P030-1QNG68
Microchip Technology · 封装：QFN-68
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 49 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 QFN-68 封装。A3P030-1VQ100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-1VQ100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-1VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-1VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-2QNG48
Microchip Technology · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 QFN-48 封装。A3P030-2QNG48I
Microchip Technology · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 QFN-48 封装。A3P030-2VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-VQ100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-VQ100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-2QNG68
Microchip Technology · 封装：QFN-68
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 49 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 QFN-68 封装。A3P030-2QNG68I
Microchip Technology · 封装：QFN-68
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 49 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 QFN-68 封装。A3P030-2VQ100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-2VQ100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-2VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz，采用 VQFP-100 封装。A3P030-VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz，采用 VQFP-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。