M2GL010-VF400
Microchip Technology · 封装：LFBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 195 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-400 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录M2GL010-VF256I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 LFBGA-256 封装。M2GL010-VF256
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-256 封装。M2GL010-TQG144I
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 84 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 TQFP-144 封装。M2GL010-TQG144
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 84 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 TQFP-144 封装。M2GL010-FGG484IX417
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、数据速率 667 Mb/s、逻辑单元数 12084 LE，采用 FBGA-484 封装。M2GL010-FGG484I
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 FBGA-484 封装。M2GL010-FGG484
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 FBGA-484 封装。M2GL010-FG484I
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010-FG484
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010-1VFG400I
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 195 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-400 封装。M2GL010-1VFG400
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 195 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-400 封装。M2GL010-1VFG256I
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-256 封装。M2GL010-1VFG256
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-256 封装。M2GL010-1VF400I
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 195 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-400 封装。M2GL010-1VF256I
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-256 封装。M2GL010-1VF256
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 VFPBGA-256 封装。M2GL010-1TQG144I
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入／输出数 84 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 TQFP-144 封装。M2GL010-1TQG144
Microchip Technology · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 84 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 TQFP-144 封装。M2GL010-1FGG484I
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 FPBGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。