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FPGA 与可编程逻辑

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M2GL050TS-FG484I

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 PBGA-484 封装。

M2GL050TS-FG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 PBGA-484 封装。

M2GL050TS-FCSG325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL050TS-FCSG325

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL050TS-FCS325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL010T-1VFG256I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-256 封装。

M2GL010T-1VFG256

Microchip Technology · 封装:LFBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-256 封装。

M2GL010T-1VF400I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 195 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-400 封装。

M2GL010T-1VF400

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 195 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-400 封装。

M2GL010T-1VF256I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-256 封装。

M2GL010T-1VF256

Microchip Technology · 封装:LFBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-256 封装。

M2GL010T-1FG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 233 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL010S-TQG144I

Microchip Technology · 封装:TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 84 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 TQFP-144 封装。

M2GL010S-1TQG144I

Microchip Technology · 封装:TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入/输出数 84 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 TQFP-144 封装。

M2GL010S-1TQG144

Microchip Technology · 封装:TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 84 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 TQFP-144 封装。

M2GL010-VFG400I

Microchip Technology · 封装:VFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入/输出数 195 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s,采用 VFBGA-400 封装。

M2GL010-VFG400

Microchip Technology · 封装:VFPBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 195 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 VFPBGA-400 封装。

M2GL010-VFG256I

Microchip Technology · 封装:VFBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s,采用 VFBGA-256 封装。

M2GL010-VFG256

Microchip Technology · 封装:VFPBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 912 kbit、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s,采用 VFPBGA-256 封装。

M2GL010-VF400I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 195 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE,采用 LFBGA-400 封装。

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