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FPGA 与可编程逻辑

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M2GL090-FCSG325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090-FCSG325

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090-FCS325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090-FCS325

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090-1FGG676I

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090-1FGG676

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090-1FGG484I

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090-1FGG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090-1FG676I

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090-1FG676

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090-1FCS325

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL060TS-VFG784I

Microchip Technology · 封装:FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 56500 LE、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C,采用 FBGA-784 封装。

M2GL060TS-VFG784

Microchip Technology · 封装:FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 56500 LE、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 85 C,采用 FBGA-784 封装。

M2GL060TS-VFG400I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 LFBGA-400 封装。

M2GL060TS-VFG400

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 LFBGA-400 封装。

M2GL060TS-VF400

Microchip Technology · 封装:LFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 207 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 LFBGA-400 封装。

M2GL060TS-FGG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL060TS-FG676I

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 387 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL060TS-FG676

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 387 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL060TS-FG484I

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE,采用 PBGA-484 封装。

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