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FPGA 与可编程逻辑

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27,592 条型号记录
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M2GL150-1FCV484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-484 封装。

M2GL150-1FCV484

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-484 封装。

M2GL150-1FCSG536I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 LFBGA-536 封装。

M2GL150-1FCSG536

Microchip Technology · 封装:LFBGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 LFBGA-536 封装。

M2GL150-1FCS536I

Microchip Technology · 封装:LFBGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 LFBGA-536 封装。

M2GL150-1FCS536

Microchip Technology · 封装:LFBGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 LFBGA-536 封装。

M2GL150-1FCG1152I

Microchip Technology · 封装:BGA-1152

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.88 Mbit、输入/输出数 574 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、数据速率 667 Mb/s、逻辑单元数 146124 LE,采用 BGA-1152 封装。

M2GL150-1FCG1152

Microchip Technology · 封装:BGA-1152

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-1152 封装。

M2GL150-1FC1152I

Microchip Technology · 封装:BGA-1152

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-1152 封装。

M2GL150-1FC1152

Microchip Technology · 封装:BGA-1152

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-1152 封装。

M2GL090TS-FGG676I

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090TS-FGG676

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090TS-FGG484I

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090TS-FGG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090TS-FG676I

Microchip Technology · 封装:PBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 425 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-676 封装。

M2GL090TS-FG484I

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090TS-FG484

Microchip Technology · 封装:PBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 267 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 PBGA-484 封装。

M2GL090TS-FCSG325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090TS-FCSG325

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

M2GL090TS-FCS325I

Microchip Technology · 封装:TFBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 180 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE,采用 TFBGA-325 封装。

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