MPF050TLS-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录MPF050TL-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050TL-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050TL-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050TL-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050TC-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 48000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF050TC-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 48000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF050TC-FCSG325I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、工作电源电压 1.05 V、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是、商品名称 PolarFire。MPF050TC-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：LFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 48000 LE，采用 LFBGA-325 封装。MPF050T-FCVG484T2
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.6 Mbit、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、数据速率 12.5 Gb/s、逻辑单元数 48000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF050T-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050T-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050T-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050T-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050T-1FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050T-1FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050T-1FCSG325T2
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.6 Mbit、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、数据速率 12.5 Gb/s、逻辑单元数 48000 LE，采用 TFBGA-325 封装。MPF050T-1FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050T-1FCSG325E
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。M7AFS600-FGG484I
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 172 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.0989 GHz，采用 FBGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。