MPF100TL-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM（EBR） 7.6 Mbit，采用 BGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录MPF100TL-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.7 Gb/s，采用 BGA-325 封装。MPF100TL-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM（EBR） 7.6 Mbit，采用 BGA-325 封装。MPF100TL-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM（EBR） 7.6 Mbit，采用 BGA-484 封装。MPF100TC-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 109000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF100TC-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 109000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF100TC-FCSG325I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、工作电源电压 1.05 V、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是、商品名称 PolarFire。MPF100TC-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：LFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 109000 LE，采用 LFBGA-325 封装。MPF100TC-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 109000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF100TC-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 109000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF100T-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF100T-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.7 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF100T-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF100T-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF100T-1FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、原产国家或地区 韩国，采用 BGA-484 封装。MPF050TS-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050TS-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050TS-1FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF050TS-1FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 TFBGA-325 封装。MPF050TLS-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 3.6 MB、输入／输出数 188 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。