MPF200T-1FCVG484I
Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-536
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-536 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-536
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-536 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-325 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-325 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-784
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-784 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-784
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-784 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。