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FPGA 与可编程逻辑

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MPF200T-1FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。

MPF200T-1FCVG484E

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。

MPF200T-1FCSG536I

Microchip Technology · 封装:BGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-536 封装。

MPF200T-1FCSG536E

Microchip Technology · 封装:BGA-536

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-536 封装。

MPF200T-1FCSG325I

Microchip Technology · 封装:BGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-325 封装。

MPF200T-1FCSG325E

Microchip Technology · 封装:BGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-325 封装。

MPF200T-1FCG784I

Microchip Technology · 封装:BGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-784 封装。

MPF200T-1FCG784E

Microchip Technology · 封装:BGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-784 封装。

MPF200T-1FCG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。

MPF200T-1FCG484E

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 364 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、逻辑单元数 192000 LE,采用 BGA-484 封装。

MPF100TS-FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TS-FCSG325I

Microchip Technology · 封装:BGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。

MPF100TS-FCG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TS-1FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TS-1FCSG325I

Microchip Technology · 封装:BGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。

MPF100TS-1FCG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TLS-FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TLS-FCSG325I

Microchip Technology · 封装:BGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-325 封装。

MPF100TLS-FCG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

MPF100TL-FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV/1.02 V、电源电压(最大值) 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、嵌入式块 RAM(EBR) 7.6 Mbit,采用 BGA-484 封装。

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