MPF200TL-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-325 封装。FPGA 与可编程逻辑
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
27,592 条型号记录MPF200TL-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-325 封装。MPF200TL-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-784 封装。MPF200TL-FCG784E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-784 封装。MPF200TL-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-484 封装。MPF200TL-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-484 封装。MPF200TC-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 192000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF200TC-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 192000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF200TC-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 192000 LE，采用 LFBGA-536 封装。MPF200TC-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 192000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF200TC-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 192000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF200T-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF200T-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF200T-FCSG536E
Microchip Technology · 封装：BGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-536 封装。MPF200T-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-325 封装。MPF200T-FCSG325E
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-325 封装。MPF200T-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.7 Gb/s，采用 BGA-784 封装。MPF200T-FCG784E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-784 封装。MPF200T-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。MPF200T-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 13.3 Mbit、输入／输出数 364 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。