MPF300TS-1FCG784NI
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 300000 LE，采用 BGA-784 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录MPF300TS-1FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-784 封装。MPF300TS-1FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 20.6 Mbit、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TS-1FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 20.6 Mbit、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-1152 封装。MPF300TLS-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TLS-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：BGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-536 封装。MPF300TLS-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-784 封装。MPF300TLS-FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TLS-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-1152 封装。MPF300TL-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TL-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TL-FCG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-484 封装。MPF300TL-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-1152 封装。MPF300TL-FCG1152E
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-1152 封装。MPF300TC-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF300TC-FCVG484E
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 BGA-484 封装。MPF300TC-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 LFBGA-536 封装。MPF300TC-FCSG536E
Microchip Technology · 封装：LFBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 LFBGA-536 封装。MPF300TC-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 BGA-784 封装。MPF300TC-FCG784E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 0.97 V to 1.03 V, 1.02 V to 1.08 V、数据速率 12.7 Gb/s、逻辑单元数 300000 LE，采用 BGA-784 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。