A42MX09-3VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录A42MX09-3VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX09-FPLG84
Microchip Technology · 封装：PLCC-84
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 72 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PLCC-84 封装。A42MX09-FTQG176
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX09-FVQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX09-PG132B
Microchip Technology · 封装：CPGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 95 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 CPGA-132 封装。A42MX09-PG132M
Microchip Technology · 封装：CPGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 95 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 CPGA-132 封装。A42MX09-PLG84
Microchip Technology · 封装：PLCC-84
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 72 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PLCC-84 封装。A42MX09-PQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX09-PQG100A
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX09-PQG100M
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX09-TQG176A
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX09-TQG176M
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX09-VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX09-VQG100A
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX09-VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX09-VQG100M
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-1PQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX16-1PQG100I
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX16-1PQG100M
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。