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FPGA 与可编程逻辑

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A40MX02-PQG100M

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 PQFP-100 封装。

A40MX02-VQG80

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX02-VQG80A

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX02-VQG80I

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX02-VQG80M

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX04-1PLG44

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-1PLG44I

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-1PLG44M

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-1PLG68

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-1PLG68I

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-1PLG68M

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-1PQG100I

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PQFP-100 封装。

A40MX04-1PQG100M

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PQFP-100 封装。

A42MX09-1VQG100I

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 83 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 VQFP-100 封装。

A42MX09-1VQG100M

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 83 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 VQFP-100 封装。

A42MX09-3PLG84I

Microchip Technology · 封装:PLCC-84

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 72 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 PLCC-84 封装。

A42MX09-3PQG100

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 83 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 PQFP-100 封装。

A42MX09-3PQG100I

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 83 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 PQFP-100 封装。

A42MX09-3TQG176

Microchip Technology · 封装:TQFP-176

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 TQFP-176 封装。

A42MX09-3TQG176I

Microchip Technology · 封装:TQFP-176

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE,采用 TQFP-176 封装。

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