LFD2NX-40-9MG121I
Lattice · 封装：csfBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.5 Gb/s，采用 csfBGA-121 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录LFD2NX-40-9BG256C
Lattice · 封装：BGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 192 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 39000 LE，采用 BGA-256 封装。LFD2NX-40-9BG196I
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-9BG196C
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-8MG121I
Lattice · 封装：csfBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.5 Gb/s，采用 csfBGA-121 封装。LFD2NX-40-8MG121C
Lattice · 封装：csfBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 csfBGA-121 封装。LFD2NX-40-8BG256C
Lattice · 封装：BGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 192 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 39000 LE，采用 BGA-256 封装。LFD2NX-40-8BG196I
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-8BG196C
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-7MG121I
Lattice · 封装：csfBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 1.5 Gb/s，采用 csfBGA-121 封装。LFD2NX-40-7MG121C
Lattice · 封装：csfBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 csfBGA-121 封装。LFD2NX-40-7MG121A
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 40000 LE、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。LFD2NX-40-7BG256I
Lattice · 封装：BGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 39000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-256 封装。LFD2NX-40-7BG256C
Lattice · 封装：CABGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 192 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、逻辑单元数 39000 LE，采用 CABGA-256 封装。LFD2NX-40-7BG256A
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 40000 LE、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。LFD2NX-40-7BG196I
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-7BG196C
Lattice · 封装：caBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.48 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、最大工作频率 500 MHz，采用 caBGA-196 封装。LFD2NX-40-7BG196A
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 40000 LE、原产国家或地区 中国台湾。LFD2NX-28-9MG121I
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.03 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 28000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CSFBGA-121 封装。LFD2NX-28-9MG121C
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.03 Mbit、输入／输出数 81 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 28000 LE、最小工作温度 0 C，采用 CSFBGA-121 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。