LFCPNX-100-7CBG256I
Lattice · 封装：FCCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 FCCSP-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录LFCPNX-100-7CBG256C
Lattice · 封装：FCCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 FCCSP-256 封装。LFCPNX-100-7CBG256A
Lattice · 封装：FCCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 FCCSP-256 封装。LFCPNX-100-7BFG484I
Lattice · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 299 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 BGA-484 封装。LFCPNX-100-7BFG484C
Lattice · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 299 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 BGA-484 封装。LFCPNX-100-7BBG484I
Lattice · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 299 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 BGA-484 封装。LFCPNX-100-7BBG484C
Lattice · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 299 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 BGA-484 封装。LFCPNX-100-7BBG484A
Lattice · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 299 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 BGA-484 封装。LFCPNX-100-7ASG256I
Lattice · 封装：WLCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 WLCSP-256 封装。LFCPNX-100-7ASG256C
Lattice · 封装：WLCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 WLCSP-256 封装。LFCPNX-100-7ASG256A
Lattice · 封装：WLCSP-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 3.66 Mbit、输入／输出数 159 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 950 mV to 1.05 V、最大工作频率 500 MHz，采用 WLCSP-256 封装。LFD2NX-9-9MG121I
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CSFBGA-121 封装。LFD2NX-9-9MG121C
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 0 C，采用 CSFBGA-121 封装。LFD2NX-9-9BG196I
Lattice · 封装：CABGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CABGA-196 封装。LFD2NX-9-9BG196C
Lattice · 封装：CABGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 0 C，采用 CABGA-196 封装。LFD2NX-9-8MG121I
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CSFBGA-121 封装。LFD2NX-9-8MG121C
Lattice · 封装：CSFBGA-121
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 0 C，采用 CSFBGA-121 封装。LFD2NX-9-8BG196I
Lattice · 封装：CABGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CABGA-196 封装。LFD2NX-9-7BG196C
Lattice · 封装：CABGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 0 C，采用 CABGA-196 封装。LFD2NX-9-7BG196A
Lattice · 封装：CABGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 270 kbit、输入／输出数 77 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、逻辑单元数 9000 LE、最小工作温度 - 40 C，采用 CABGA-196 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。