LCMXO3LF-1300E-6TG100I
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 640 ALM，采用 TQFP-100 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录LCMXO3LF-2100C-5MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100C-5MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100C-5TG100C
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100E-5MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100E-5MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100E-5TG100C
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100E-5TG100I
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100E-6MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100E-6MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100E-6TG100C
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100E-6TG100I
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-4300C-5MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300C-6MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300C-6MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300E-5MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300E-5MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300E-6MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-640E-6MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 640 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 320 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-640E-6MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 640 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 320 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。