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FPGA 与可编程逻辑

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LCMXO3D-9400ZC-3BG256I

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

LCMXO3D-9400ZC-3BG400C

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400ZC-3BG400I

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400ZC-3SG72C

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3D-9400ZC-3SG72I

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3LF-1300C-5MG132C

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300C-5MG132I

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300C-5TG100C

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300C-5TG100I

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300C-6MG132C

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300C-6MG132I

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300C-6TG100C

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300C-6TG100I

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300E-5MG132C

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300E-5MG132I

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300E-5TG100C

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300E-5TG100I

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

LCMXO3LF-1300E-6MG132C

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300E-6MG132I

Lattice · 封装:CSFBGA-132

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 104 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 CSFBGA-132 封装。

LCMXO3LF-1300E-6TG100C

Lattice · 封装:TQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入/输出数 79 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、逻辑单元数 1280 LE、自适应逻辑模块数(ALM) 640 ALM,采用 TQFP-100 封装。

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