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FPGA 与可编程逻辑

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LCMXO3D-9400HC-5BG400I

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400HC-5BG484C

Lattice · 封装:CABGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 383 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-484 封装。

LCMXO3D-9400HC-5BG484I

Lattice · 封装:CABGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 383 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-484 封装。

LCMXO3D-9400HC-5SG72C

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3D-9400HC-5SG72I

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3D-9400HC-6BG256C

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

LCMXO3D-9400HC-6BG256I

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

LCMXO3D-9400HC-6BG400C

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400HC-6BG400I

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400HE-5UTG69CTR

Lattice

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 9400 LE、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

LCMXO3D-9400HE-5UTG69CTR1K

Lattice

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 9400 LE、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

LCMXO3D-9400HE-5UTG69ITR

Lattice

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 9400 LE、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

LCMXO3D-9400HE-5UTG69ITR1K

Lattice

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 9400 LE、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

LCMXO3D-9400ZC-2BG256C

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

LCMXO3D-9400ZC-2BG256I

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

LCMXO3D-9400ZC-2BG400C

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400ZC-2BG400I

Lattice · 封装:CABGA-400

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 335 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-400 封装。

LCMXO3D-9400ZC-2SG72C

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3D-9400ZC-2SG72I

Lattice · 封装:QFN-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 58 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz,采用 QFN-72 封装。

LCMXO3D-9400ZC-3BG256C

Lattice · 封装:CABGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入/输出数 206 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE,采用 CABGA-256 封装。

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