XC7A35T-1FTG256C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 170 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 FBGA-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录XC7A35T-1FTG256I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 170 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 FBGA-256 封装。XC7A35T-2CPG236C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-236
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-236 封装。XC7A35T-2CPG236I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-236
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 106 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 CSBGA-236 封装。XC7A35T-2CSG324C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 CSBGA-324 封装。XC7A35T-2CSG324I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 CSBGA-324 封装。XC7A35T-2CSG325C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。XC7A35T-2CSG325I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。XC7A35T-2FGG484C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 250 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A35T-2FGG484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 250 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A35T-2FT256I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 170 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 FBGA-256 封装。XC7A35T-2FTG256C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 170 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 FBGA-256 封装。XC7A35T-2FTG256I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入／输出数 170 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 33280 LE，采用 FBGA-256 封装。ICE40LP640-CM36A
Lattice · 封装：UCBGA-36
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 32 kbit、输入／输出数 25 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.066 GHz，采用 UCBGA-36 封装。ICE40LP640-CM36ATR
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 640 LE、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。ICE40LP8K-CM81TR
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 7680 LE、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。LAMXO3D-4300HC-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAMXO3D-9400HE-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAMXO3D-9400HE-5BG484E
Lattice · 封装：caBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 384 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-484 封装。LAMXO3LF-2100C-5BG324E
Lattice · 封装：caBGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 279 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-324 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。