1ST210EU3F50I3XG
Altera · 封装：FBGA-2397
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 134 Mbit、输入／输出数 704 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 57.8 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录EP3SE50F484C2G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V、逻辑单元数 47500 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 19000 ALM。EP3SE50F484C3G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F484C4G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F484C4LG
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F484I3G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F484I4G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F484I4LG
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SE50F780C2G
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 488 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-780 封装。EP3SE50F780C3G
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 488 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-780 封装。EP3SE50F780I3G
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V、逻辑单元数 47500 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 19000 ALM。EP3SE50F780I4G
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 488 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-780 封装。EP3SE50F780I4LG
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 5.49 Mbit、总存储容量 5328 kbit、输入／输出数 488 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-780 封装。EP3SL50F484C2G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484C3G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484C4G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484C4LG
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484I3G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484I4G
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。EP3SL50F484I4LG
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.08 Mbit、总存储容量 1836 kbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.1 V、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V，采用 FBGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。