EP4CE55F23C7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录EP4CE55F23C8
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23C8L
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23C8LN
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23C8N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23C9L
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23C9LN
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23I7
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23I7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23I8L
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F23I8LN
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.03 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F29C6
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C6N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C7
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C7N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C8
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C8L
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C8LN
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C8N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE55F29C9L
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。