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FPGA 与可编程逻辑

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EP3CLS100U484I7

Altera · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.25 Mbit、总存储容量 4451328 位、输入/输出数 294 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-484 封装。

EP3CLS100U484I7N

Altera · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.25 Mbit、总存储容量 4451328 位、输入/输出数 294 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-484 封装。

EP3CLS150F484C7

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F484C7N

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F484C8

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F484C8N

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F484I7

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F484I7N

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS150F780C7

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS150F780C7N

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS150F780C8

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS150F780C8N

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS150F780I7

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS150F780I7N

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.85 Mbit、总存储容量 6137856 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

EP3CLS200F484C7

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS200F484C7N

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS200F484C8

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS200F484C8N

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS200F484I7

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 226 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-484 封装。

EP3CLS200F780C8

Altera · 封装:FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入/输出数 429 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 FBGA-780 封装。

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